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UM6J1N
Data Sheet
10
V GS = ? 10V
Pulsed
10
Ta=125°C
V GS = ? 4.5V
Pulsed
10
Ta=125°C
V GS = ? 4V
Pulsed
1
0.1
Ta=125°C
75°C
25°C
?25°C
1
0.1
75°C
25°C
?25°C
1
0.1
75°C
25°C
?25°C
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
10
1
0
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.7 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( Ι )
Ta=25 ° C
Pulsed
V GS = ?4V
V GS = ?4.5V
V GS = ?10V
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.8 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙ )
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.9 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙΙ )
0.01
0.1
1
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.10 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( Ι )
Notice
This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment.
Please consider to design ESD protection circuit.
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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